半导体材料的导电能力和绝缘体之间，其电阻受温度影响较大，如图甲是某种半导体材料的电阻随温度变化的关系
（1 ）从图像中，我们可以看到，当t = 2 0℃，r =5 0Ω，电阻R和R0连接到该系列时。根据欧姆定律，我们可以发现：i = ur+r0 =1 2 v5 0Ω+1 0Ω═0.2 a。
;查看图像，您可以看到当r =2 0Ω时，t = 4 0℃。
（3 ）从图像中，我们可以看到当t = 1 00℃，r =1 0Ω时。
电路电流i = ur+r0 = 1 2 v1 0ody+1 0Ω= 0.6 a和在半导体p = i2 r =（0.6 a）2 ×1 0Ω= 3 .6 w的电阻器的电力。
答案：（1 ）当室温为2 0℃时，读数为0.2 a，（2 ）在阅读admitrs时，（2 ）在读取admitrs时，1 00 a gestionrs是0.4 a，Ambs温度为4 0 cement，3 0 cement，3 0 cement，3 0 remptim，3 0 remptim，3 0 remptim，3 0 rembient，3 0 remptim，3 0 remptim，3 0 remptim，3 0 remptim，3 0 rembiation（3 ）。
电路中的半导体电阻
热电阻测温原理
热电阻温度测量的原理是基于电阻的热效应，也就是说，电阻的电阻值随温度而变化。热电阻分为两类：金属热电阻和半导体热敏电阻。
电阻值与金属热电阻的温度之间的关系可以通过近似关系表示：RT = RT0 [1 +α（t-T0）]。
其中，RT是温度抗性值t。
RT0是温度电阻值T0（通常T0 = 0℃）; α是温度系数。
半导体热电阻和温度的电阻值之间的关系为：rt = aeb / t。
a和b的值取决于半导体材料的结构。
与热鸟类相比，金属热电阻的温度系数较小，并且在室温下（通常低于欧姆）的电阻值较低，但其互换性较好，非线性较小，并且温度测量范围可以达到-2 00〜5 00〜。
因此，金属热阻力广泛用于工业控制中，尤其是在程序控制系统中。
作为热电阻金属材料，它必须满足以下要求：尽可能最大的稳定温度系数；极高的电阻率（将传感器的尺寸降低到相同的灵敏度）；使用温度范围内的稳定的化学和物理特性；材料的良好可重复性；在间隔功能关系（线性偏好关系）中温度的电阻值变化。
总而言之，热电阻可以通过测量与温度的电阻变化来测量温度。
它主要分为两种类型：金属热电阻和半导体热电阻。
每个人都有自己的优势和缺点，并且具有广泛的应用。
扩展信息热阻力是中和低温区域中最常用的温度检测器。
热电阻温度的测量基于金属导体的电阻值随温度升高而增加的特征。
它的主要特征是高测量精度和稳定的性能。
其中，对板的热阻力的测量精度最高。
它不仅被广泛用于工业温度的测量中，而且还转化为标准参考仪器。
大多数热电阻是由纯金属材料制成的，最常用的是铂和铜。
此外，现在已经使用镍，锰和菱形等材料制成了热电阻。
金属热电阻中常用的温度检测材料有许多类型的温度检测材料，最常用的是铂金属丝。
除铂金属丝外，工业措施的热金属电阻材料还包括铜，镍，铁，铁镍等。
为什么NTC热敏电阻的电阻值与温度之间的关系？
NTC热敏电阻（负温度）是一个组件，其电阻值随温度而变化，其电阻值与温度负相关。负温度系数的这种行为可以通过热运动和能量带的理论来解释。
在NTC热敏电阻中，它们的电阻值主要由半导体材料组成。
半导体材料的电阻值与载体的浓度有关，该载体受温度影响。
随着温度的升高，晶体中原子和分子的热移动增加，从而增加了瓦伦萨（Valenza）带中电子的兴奋。
这将增加载体在半导体中的浓度并降低电阻值。
换句话说，随着温度的升高，半导体中承载者的浓度增加，从而导致电阻值下降。
这种现象可以用能带理论来解释。
在半导体中，Valenza带和传导带之间存在一个能量差距。
在低温下，几乎没有任何电子可以越过能量间隙并进入传统带，因此半导体电阻更大。
随着温度的升高，电子能量增加，一些电子可以超过能量间隙并进入导灯带，形成载体，从而降低电阻值。
因此，NTC热敏电阻的电阻值与温度负相关。
随着温度的升高，电阻值降低，温度降低，从而导致电阻值的增加。
此功能使NTC热敏电阻在温度测量和温度补偿电路中广泛使用。
